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일반뉴스 마이크로칩, 작고 가벼운 솔루션 구현할 SiC 포트폴리오 확장

25밀리옴의 온저항을 제공하는 MOSFET, 90암페어의 정격 전류를 제공하는 SBD TPU, APU, SST, 산업용 모터 드라이브 및 에너지 인프라 솔루션의 시스템 개발자는 효율성 증대 및 시스템 크기 및 무게 절감, 신뢰성 향상을 위해 고전압 스위칭 기술을 필요로 한다. 마이크로칩테크놀로지(이하 마이크로칩)는 업계 최저 온저항을 제공하는 3.3kV SiC MOSFET과 고성능 정격 전류를 제공하는 SiC SBD를 출시해 SiC 포트폴리오를 확장했다. 해당 디바이스는 견고성, 신뢰성 및 성능 면에서 개발자에게 이점을 제공한다. 마이크로칩은 이번 SiC 포트폴리오 확장으로 전기 운송, 재생 에너지, 항공우주 및 산업 애플리케이션을 위한 더 작고 가벼운 솔루션을 개발하는 툴을 개발자에게 제공한다. 오늘날 많은 실리콘 기반의 디자인이 효율성 향상, 시스템 비용 절감 및 애플리케이션 혁신의 한계에 다다랐다. 고전압 SiC는 이러한 문제를 해결하는 검증된 대안이지만, 지금까지 3.3kV SiC 전력 디바이스의 가용성은 제한적이었다. 마이크로칩의 3.3kV MOSFET 및 SBD는 700V, 1200V 및 1700V 다이, 디스크리트, 모듈 및 디지털 게이트 드라이

서재창 기자

2022-03-22 11:00

일반뉴스 신일본무선, 세계 최소 수준 ‘650V/10A SiC SBD’ 출시 예정

헬로티 서재창 기자 | 신일본무선(New Japan Radio)이 세계 최소 수준의 SiC SBD를 개발했다고 밝혔다. 제품 사이즈는 4.0x6.5x0.9(LxWxT unit：mm)로, 클립 본딩 패키지를 채용했고, 타사와 동등한 특성으로 세계 최소 클래스의 SiC SBD를 실현했다. 적용 분야는 산업용 인버터, 산업·가전용 모터 구동, 데이터 서버, 5G용 전원 등 전력변환용 기기다. 특히 SiC 고유의 역 회복 시간이 매우 짧은 고속 스위칭 특성에 더해 본 제품의 소형, 얇은 두께, 고방열 특성은 PFC, LLC, 서지 클램프 등에도 적합하다. 또한, 종래의 FRD보다 효율이 높아 장비의 저전력화, 소형화, 저노이즈화에 기여한다. SiC SBD는 저손실·고속 스위칭 동작이 가능하며, JBS 구조에 의한 높은 서지 내압을 실현해 높은 신뢰성을 보장한다. 또한, 650V와 1200V 내압의 제품에 대해서는 커스터마이징이 가능하다. PARAMETER SYMBOL TEST CONDITION MIN TYP MAX UNIT Forward voltage VF IF=10A, Tj=25℃ - 1.5 1.7

서재창 기자

2021-10-06 11:09